Module IGBT Non Infineon, 600 V 7
- Code commande RS:
- 244-5399
- Référence fabricant:
- FP50R06W2E3BOMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 plateau de 15 unités)*
485,32 €
HT
582,39 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 16 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 32,355 € | 485,33 € |
| 30 + | 30,737 € | 461,06 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 244-5399
- Référence fabricant:
- FP50R06W2E3BOMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 175W | |
| Nombre de transistors | 7 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.9V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 51mm | |
| Hauteur | 12mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 42.5mm | |
| Série | FP50R06W2E3B | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 175W | ||
Nombre de transistors 7 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.9V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 51mm | ||
Hauteur 12mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 42.5mm | ||
Série FP50R06W2E3B | ||
Standard automobile Non | ||
Module IGBT Infineon série FP50R06W2E3B, dissipation de puissance maximale de 175 W, tension collecteur-émetteur maximale de 600 V - FP50R06W2E3BOMA1
Ce module IGBT est un ensemble de semi-conducteurs de puissance compact conçu pour commuter et contrôler les charges c. c. haute tension dans les systèmes d'alimentation industriels. Il offre une capacité de commutation robuste pour les convertisseurs, les onduleurs et les entraînements de moteur tout en fonctionnant sur une large plage thermique dans des environnements exigeants. Le dispositif est conforme à la directive RoHS et est destiné aux applications qui nécessitent plusieurs sorties de transistor dans un seul boîtier.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale collecteur-émetteur de 600 V permet une capacité de commutation haute tension
• Dissipation de puissance maximale de 175 W permettant une gestion de charge continue substantielle
• Le VCE(sat) maximal de 1,9 V réduit les pertes de conduction pendant le fonctionnement à l'état actif
• La tolérance de l'émetteur de grille de 20 V permet des tensions de commande de grille standard
• Sept transistors dans un seul boîtier permettent des dispositions de commutation multicanaux
• Dissipation de puissance maximale de 175 W permettant une gestion de charge continue substantielle
• Le VCE(sat) maximal de 1,9 V réduit les pertes de conduction pendant le fonctionnement à l'état actif
• La tolérance de l'émetteur de grille de 20 V permet des tensions de commande de grille standard
• Sept transistors dans un seul boîtier permettent des dispositions de commutation multicanaux
Applications
• Convient aux étages d'inverseur de moteur triphasé nécessitant plusieurs interrupteurs
• Idéal pour les convertisseurs industriels c.c.-c.c. avec entrées haute tension
• Utilisé avec les redresseurs de puissance dans les systèmes de traction de puissance moyenne
• Peut être utilisé pour les inverseurs d'énergie renouvelable gérant des charges variables
• Convient aux installations de laboratoire ou de test nécessitant des sorties à transistors regroupés
• Idéal pour les convertisseurs industriels c.c.-c.c. avec entrées haute tension
• Utilisé avec les redresseurs de puissance dans les systèmes de traction de puissance moyenne
• Peut être utilisé pour les inverseurs d'énergie renouvelable gérant des charges variables
• Convient aux installations de laboratoire ou de test nécessitant des sorties à transistors regroupés
Quelles sont les températures ambiantes que l'appareil peut tolérer pendant son fonctionnement?
Il est conçu pour fonctionner jusqu'à -40 °C et jusqu'à 150 °C.
Quel est l'encombrement du boîtier pour l'intégration sur les assemblages?
L'unité mesure 42,5 x 51 x 12 mm pour un montage compact et une planification de l'encombrement.
Comment la disposition des sept transistors affecte-t-elle la disposition des circuits?
Les transistors multiples dans un boîtier réduisent la longueur d'interconnexion et simplifient le routage des grilles pour les topologies multi-pieds.
Y a-t-il des restrictions à l'utilisation dans l'automobile?
Le dispositif n'est pas conforme aux normes automobiles et ne doit pas être utilisé pour les conceptions qualifiées pour l'automobile.
Nos clients ont également consulté
- Module IGBT Non Infineon, 600 V 7
- Module IGBT Non Infineon, 1200 V 7
- Module IGBT Non Infineon 600 V, Module Panneau
- Module IGBT Non Infineon 600 V, Module Panneau
- Module IGBT Non Infineon 600 V, Module Panneau
- Module IGBT Non Infineon 600 V, Module Panneau
- Module IGBT Non Infineon 600 V, Module Panneau
- Module IGBT Non Infineon EconoPIM 7
