Module IGBT, NXH80T120L3Q0S3G, , 75 A, 1200 V, Q0PACK - Boîtier 180AB (sans plomb et sans halogène)
- Code commande RS:
- 245-6993
- Référence fabricant:
- NXH80T120L3Q0S3G
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 unité)*
60,18 €
HT
72,22 €
TTC
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 60,18 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 245-6993
- Référence fabricant:
- NXH80T120L3Q0S3G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 75 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 188 W | |
| Nombre de transistors | 4 | |
| Type de boîtier | Q0PACK - Boîtier 180AB (sans plomb et sans halogène) | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum 75 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 188 W | ||
Nombre de transistors 4 | ||
Type de boîtier Q0PACK - Boîtier 180AB (sans plomb et sans halogène) | ||
on Semiconductor Q0PACK Module est un module d'alimentation contenant un niveau inverseur à point neutre de type T fixé à trois niveaux. Les IGBT à tranchée d'arrêt de champ intégrés et les diodes à récupération rapide fournissent des pertes de conduction et de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.
Faible perte de commutation
Faible VCEsat
Boîtier compact 65,9 x 32,5 x 12 mm
Options avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué
Options avec thermistance à broches soudables et broches à pression
Faible VCEsat
Boîtier compact 65,9 x 32,5 x 12 mm
Options avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué
Options avec thermistance à broches soudables et broches à pression
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