Module IGBT Non onsemi, Q0PACK - boîtier 180AJ En surface 2
- Code commande RS:
- 245-6982
- Référence fabricant:
- NXH40B120MNQ0SNG
- Marque:
- onsemi
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|---|---|
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- Code commande RS:
- 245-6982
- Référence fabricant:
- NXH40B120MNQ0SNG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 118W | |
| Type de Boitier | Q0PACK - boîtier 180AJ | |
| Type de montage | En surface | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 32.8mm | |
| Longueur | 55.2mm | |
| Hauteur | 13.9mm | |
| Série | NXH40B120MNQ0SNG | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 118W | ||
Type de Boitier Q0PACK - boîtier 180AJ | ||
Type de montage En surface | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 32.8mm | ||
Longueur 55.2mm | ||
Hauteur 13.9mm | ||
Série NXH40B120MNQ0SNG | ||
Standard automobile Non | ||
Module MOSFET SiC complet | Boost SiC complet à deux canaux EliteSiC, 1 200 V, MOSFET SiC 40 mohm + 1 200 V, DBC à diode SiC nickelée 40 A
on Semiconductor Module d'alimentation Q1 Boost 3 canaux est un module d'alimentation contenant un double étage de boost. Les transistors MOSFET et diodes SiC intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.
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Diodes de dérivation 1 200 V et antiparallèles
Thermistance à broches soudables à faible disposition inductive
Ce dispositif est sans plomb, sans halogène/sans BFR et est conforme à la directive RoHS
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