Module IGBT, NXH40B120MNQ0SNG, , Q0PACK - Boîtier 180AJ (broches à souder sans plomb et sans demi)
- Code commande RS:
- 245-6982
- Référence fabricant:
- NXH40B120MNQ0SNG
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 80,63 € |
| 10 + | 69,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 245-6982
- Référence fabricant:
- NXH40B120MNQ0SNG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Dissipation de puissance maximum | 118 W | |
| Type de boîtier | Q0PACK - Boîtier 180AJ (broches à souder sans plomb et sans demi) | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Dissipation de puissance maximum 118 W | ||
Type de boîtier Q0PACK - Boîtier 180AJ (broches à souder sans plomb et sans demi) | ||
Module MOSFET SiC complet | Boost SiC complet à deux canaux EliteSiC, 1 200 V, MOSFET SiC 40 mohm + 1 200 V, DBC à diode SiC nickelée 40 A
on Semiconductor Module d'alimentation Q1 Boost 3 canaux est un module d'alimentation contenant un double étage de boost. Les transistors MOSFET et diodes SiC intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.
Transistors MOSFET SiC 1 200 V 40 m
Diodes SiC à faible récupération inverse et à commutation rapide
Diodes de dérivation 1 200 V et antiparallèles
Thermistance à broches soudables à faible disposition inductive
Ce dispositif est sans plomb, sans halogène/sans BFR et est conforme à la directive RoHS
Diodes SiC à faible récupération inverse et à commutation rapide
Diodes de dérivation 1 200 V et antiparallèles
Thermistance à broches soudables à faible disposition inductive
Ce dispositif est sans plomb, sans halogène/sans BFR et est conforme à la directive RoHS
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