Module IGBT, NXH40B120MNQ0SNG, , Q0PACK - Boîtier 180AJ (broches à souder sans plomb et sans demi)

on Semiconductor Module d'alimentation Q1 Boost 3 canaux est un module d'alimentation contenant un double étage de boost. Les transistors MOSFET et diodes SiC intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.

Transistors MOSFET SiC 1 200 V 40 m
Diodes SiC à faible récupération inverse et à commutation rapide
Diodes de dérivation 1 200 V et antiparallèles
Thermistance à broches soudables à faible disposition inductive
Ce dispositif est sans plomb, sans halogène/sans BFR et est conforme à la directive RoHS