Module IGBT, NXH450B100H4Q2F2PG, , 101 A, 1000 V, Q2BOOST - Boîtier 180BG (broches à pression sans plomb et sans demi)

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Code commande RS:
245-6986
Référence fabricant:
NXH450B100H4Q2F2PG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum

101 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

1000 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Nombre de transistors

2

Dissipation de puissance maximum

79 W

Type de boîtier

Q2BOOST - Boîtier 180BG (broches à pression sans plomb et sans demi)

on Semiconductor Q2BOOST Module est un module de boost symétrique Si ou SiC hybride à trois canaux. Chaque canal contient deux IGBT 1 000 V, 150 A, deux diodes SiC 1 200 V, 30 A et deux diodes de dérivation 1 600 V, 30 A. Le module contient une thermistance CTN.

La technologie hybride silicium ou SiC optimise la densité de puissance
Une faible perte de commutation réduit la dissipation de puissance du système
Disposition inductive faible
Options de broche à souder et à pression
Ce dispositif est sans plomb, sans halogène et est conforme à la directive RoHS

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