Module IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, , Q0BOOST - boîtier 180AJ (broches à souder sans plomb et sans demi)
- Code commande RS:
- 245-6991
- Référence fabricant:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 unité)*
51,02 €
HT
61,22 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 18 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 51,02 € |
| 10 + | 43,98 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 245-6991
- Référence fabricant:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Dissipation de puissance maximum | 69 W | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Type de boîtier | Q0BOOST - boîtier 180AJ (broches à souder sans plomb et sans demi) | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Dissipation de puissance maximum 69 W | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Type de boîtier Q0BOOST - boîtier 180AJ (broches à souder sans plomb et sans demi) | ||
Module MOSFET SiC complet | Boost SiC complet à deux canaux EliteSiC, 1 200 V, MOSFET SiC de 80 mohm + 1 200 V, DBC nickelé à diode SiC 20 A
on Semiconductor Dual Boost Power Module est un module d'alimentation contenant un double étage de boost. Les transistors MOSFET et diodes SiC intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.
Transistors MOSFET SiC 1 200 V 80 m
Diodes SiC à faible récupération inverse et à commutation rapide
Diodes de dérivation de 1 600 V et antiparallèles
Thermistance à broches soudables à faible disposition inductive
Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS
Diodes SiC à faible récupération inverse et à commutation rapide
Diodes de dérivation de 1 600 V et antiparallèles
Thermistance à broches soudables à faible disposition inductive
Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS
Nos clients ont également consulté
- Module IGBT , Q0BOOST - boîtier 180AJ (broches à souder sans plomb et sans demi)
- Module IGBT , Q0PACK - Boîtier 180AJ (broches à souder sans plomb et sans demi)
- Module IGBT 1200 V, Broches à souder 180 AJ (sans plomb et sans demi) de boîtier
- Module IGBT 1200 V, Broches à pression 180 BF (sans plomb et sans demi) de boîtier
- Module IGBT 1000 V, Q2BOOST - Boîtier 180BG (broches à pression sans plomb et sans demi)
- Module IGBT Q0BOOST Double
- Module IGBT Q0BOOST Double
- Module IGBT 1000 V, 93x47 (broche à souder) (broches à souder sans plomb et sans