Module IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, , Q0BOOST - boîtier 180AJ (broches à souder sans plomb et sans demi)
- Code commande RS:
- 245-6990
- Référence fabricant:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 245-6990
- Référence fabricant:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Dissipation de puissance maximum | 69 W | |
| Type de boîtier | Q0BOOST - boîtier 180AJ (broches à souder sans plomb et sans demi) | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Dissipation de puissance maximum 69 W | ||
Type de boîtier Q0BOOST - boîtier 180AJ (broches à souder sans plomb et sans demi) | ||
Module MOSFET SiC complet | Boost SiC complet à deux canaux EliteSiC, 1 200 V, MOSFET SiC de 80 mohm + 1 200 V, DBC nickelé à diode SiC 20 A
on Semiconductor Dual Boost Power Module est un module d'alimentation contenant un double étage de boost. Les transistors MOSFET et diodes SiC intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.
Transistors MOSFET SiC 1 200 V 80 m
Diodes SiC à faible récupération inverse et à commutation rapide
Diodes de dérivation de 1 600 V et antiparallèles
Thermistance à broches soudables à faible disposition inductive
Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS
Diodes SiC à faible récupération inverse et à commutation rapide
Diodes de dérivation de 1 600 V et antiparallèles
Thermistance à broches soudables à faible disposition inductive
Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS
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