Module IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, , Q0BOOST - boîtier 180AJ (broches à souder sans plomb et sans demi)

on Semiconductor Dual Boost Power Module est un module d'alimentation contenant un double étage de boost. Les transistors MOSFET et diodes SiC intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.

Transistors MOSFET SiC 1 200 V 80 m
Diodes SiC à faible récupération inverse et à commutation rapide
Diodes de dérivation de 1 600 V et antiparallèles
Thermistance à broches soudables à faible disposition inductive
Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS