Module IGBT Non onsemi, Q0BOOST - boîtier 180AJ En surface 2
- Code commande RS:
- 245-6990
- Référence fabricant:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 245-6990
- Référence fabricant:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 69W | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Type de Boitier | Q0BOOST - boîtier 180AJ | |
| Type de montage | En surface | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 13.9mm | |
| Largeur | 32.8mm | |
| Série | NXH80B120MNQ0SNG | |
| Longueur | 55.2mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 69W | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Type de Boitier Q0BOOST - boîtier 180AJ | ||
Type de montage En surface | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 13.9mm | ||
Largeur 32.8mm | ||
Série NXH80B120MNQ0SNG | ||
Longueur 55.2mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
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on Semiconductor Dual Boost Power Module est un module d'alimentation contenant un double étage de boost. Les transistors MOSFET et diodes SiC intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.
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