Module IGBT Non onsemi, 1000 V, Q2BOOST - boîtier 180BR Surface 2

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Code commande RS:
245-6989
Référence fabricant:
NXH450B100H4Q2F2SG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

Module IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1000V

Dissipation de puissance maximum Pd

79W

Nombre de transistors

2

Type de Boitier

Q2BOOST - boîtier 180BR

Type de montage

Surface

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

12.3mm

Longueur

93.1mm

Série

NXH450B100H4Q2F2SG

Standard automobile

Non

on Semiconductor Q2BOOST Module est un module de boost symétrique Si ou SiC hybride à trois canaux. Chaque canal contient deux IGBT 1 000 V, 150 A, deux diodes SiC 1 200 V, 30 A et deux diodes de dérivation 1 600 V, 30 A. Le module contient une thermistance CTN.

La technologie hybride silicium ou SiC optimise la densité de puissance

Une faible perte de commutation réduit la dissipation de puissance du système

Disposition inductive faible

Options de broche à souder et à pression

Ce dispositif est sans plomb, sans halogène et est conforme à la directive RoHS

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