Module IGBT Non onsemi, 1000 V, Q2BOOST-PIM53 Surface 6
- Code commande RS:
- 245-6968
- Référence fabricant:
- NXH300B100H4Q2F2PG
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 245-6968
- Référence fabricant:
- NXH300B100H4Q2F2PG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1000V | |
| Nombre de transistors | 6 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 79W | |
| Type de Boitier | Q2BOOST-PIM53 | |
| Type de montage | Surface | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 17.7mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 93.1mm | |
| Série | NXH300B100H4Q2F2PG | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1000V | ||
Nombre de transistors 6 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 79W | ||
Type de Boitier Q2BOOST-PIM53 | ||
Type de montage Surface | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 17.7mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 93.1mm | ||
Série NXH300B100H4Q2F2PG | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor Q2BOOST Module est un module d'alimentation intégré haute densité qui combine des IGBT hautes performances avec une diode SiC de 1 200 V.
Tranchée extrêmement efficace avec technologie d'arrêt de champ
Une faible perte de commutation réduit la dissipation de puissance du système
La conception de module offre une haute densité de puissance
Disposition inductive faible
3 canaux dans le boîtier Q2BOOST
Ce sont des dispositifs sans plomb
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