Module IGBT Non onsemi, F1-4PACK En surface 4

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Code commande RS:
245-6959
Référence fabricant:
NXH040F120MNF1PTG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

Module IGBT

Dissipation de puissance maximum Pd

74W

Nombre de transistors

4

Type de Boitier

F1-4PACK

Type de montage

En surface

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

1200 V

Température d'utilisation maximum

150°C

Série

NXH040F120MNF1PTG

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

12.35mm

Longueur

48.8mm

Standard automobile

Non

on Semiconductor F1 4PACK SiC MOSFET est un module d'alimentation contenant un pont complet de transistor MOSFET SiC de 40 m/1200 V et une thermistance dans un boîtier F1.

Thermistance demi-pont à transistor MOSFET SiC 40 m/1 200 V.

Options avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué

Broches à pression

Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogénure et sont conformes à la directive RoHS

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