Module IGBT, NXH350N100H4Q2F2P1G, , 303 A, 1000 V, Q2PACK (sans plomb/sans halogène)

Code commande RS:: 245-6973
Référence fabricant:: NXH350N100H4Q2F2P1G
Marque:: onsemi

Module IGBT, NXH350N100H4Q2F2P1G, , 303 A, 1000 V, Q2PACK (sans plomb/sans halogène)

Voir l’ensemble des IGBT

En cours d'approvisionnement

Prix pour l'unité (en plateau de 36)

179,232 €

215,078 €

TTC

Unité	Prix par unité	le plateau*
36 +	179,232 €	6 452,352 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 245-6973
Référence fabricant:: NXH350N100H4Q2F2P1G
Marque:: onsemi

Documentation technique

Datasheet - NXH350N100H4Q2F2P1G

Législation et Conformité

Détail produit

Module hybride Si/SiC - EliteSiC, I-Type NPC 1 000 V, IGBT 350 A IGBT, 1 200 V, 100 A Diode SiC, boîtier Q2 avec broches enfichables par pression

on Semiconductor Le module Q2Pack NPC à trois niveaux est un module d'alimentation intégré haute densité qui combine des IGBT hautes performances avec des diodes antiparallèles robustes.

Tranchée extrêmement efficace avec technologie d'arrêt de champ
Une faible perte de commutation réduit la dissipation de puissance du système
La conception de module offre une haute densité de puissance
Disposition inductive faible
Hauteur de boîtier faible
Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène et sont conformes à la directive RoHS

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Courant continu de Collecteur maximum	303 A
Tension Collecteur Emetteur maximum	1000 V
Tension Grille Emetteur maximum	±20V
Nombre de transistors	4
Dissipation de puissance maximum	592 W
Type de boîtier	Q2PACK (sans plomb/sans halogène)