Module IGBT Non onsemi, 1000 V, Q2PACK Surface 4

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Code commande RS:
245-6973
Référence fabricant:
NXH350N100H4Q2F2P1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

Module IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1000V

Dissipation de puissance maximum Pd

592W

Nombre de transistors

4

Type de Boitier

Q2PACK

Type de montage

Surface

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

12.3mm

Normes/homologations

RoHS

Série

NXH350N100H4Q2F2P1G

Longueur

93.1mm

Standard automobile

Non

Module hybride Si/SiC - EliteSiC, I-Type NPC 1 000 V, IGBT 350 A IGBT, 1 200 V, 100 A Diode SiC, boîtier Q2 avec broches enfichables par pression


on Semiconductor Le module Q2Pack NPC à trois niveaux est un module d'alimentation intégré haute densité qui combine des IGBT hautes performances avec des diodes antiparallèles robustes.

Tranchée extrêmement efficace avec technologie d'arrêt de champ

Une faible perte de commutation réduit la dissipation de puissance du système

La conception de module offre une haute densité de puissance

Disposition inductive faible

Hauteur de boîtier faible

Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène et sont conformes à la directive RoHS

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