Module IGBT Non onsemi, F1-4PACK En surface 4

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Code commande RS:
245-6957
Référence fabricant:
NXH020F120MNF1PTG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

Module IGBT

Dissipation de puissance maximum Pd

119W

Nombre de transistors

4

Type de Boitier

F1-4PACK

Type de montage

En surface

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Largeur

34.1mm

Série

NXH020F120MNF1PTG

Longueur

48.8mm

Hauteur

12.35mm

Standard automobile

Non

on Semiconductor F1 4PACK SiC MOSFET est un module d'alimentation contenant un pont complet de MOSFET SiC 20 m/1200 V et une thermistance dans un boîtier F1.

Demi-pont MOSFET SiC 20 m/1 200 V.

Options de thermistance avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué

Broches à pression

Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogénure et sont conformes à la directive RoHS

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