Module IGBT Non onsemi, F1-4PACK Surface 4

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245-6958
Référence fabricant:
NXH020F120MNF1PTG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

Module IGBT

Nombre de transistors

4

Dissipation de puissance maximum Pd

119W

Type de Boitier

F1-4PACK

Type de montage

Surface

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

12.35mm

Série

NXH020F120MNF1PTG

Longueur

48.8mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

on Semiconductor F1 4PACK SiC MOSFET est un module d'alimentation contenant un pont complet de MOSFET SiC 20 m/1200 V et une thermistance dans un boîtier F1.

Demi-pont MOSFET SiC 20 m/1 200 V.

Options de thermistance avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué

Broches à pression

Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogénure et sont conformes à la directive RoHS

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