Module IGBT Non onsemi, Q1BOOST En surface 3
- Code commande RS:
- 245-6984
- Référence fabricant:
- NXH40B120MNQ1SNG
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 245-6984
- Référence fabricant:
- NXH40B120MNQ1SNG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Nombre de transistors | 3 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 156W | |
| Type de Boitier | Q1BOOST | |
| Type de montage | En surface | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 32.8mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Série | NXH40B120MNQ1SNG | |
| Hauteur | 13.9mm | |
| Longueur | 55.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Nombre de transistors 3 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 156W | ||
Type de Boitier Q1BOOST | ||
Type de montage En surface | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 32.8mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Série NXH40B120MNQ1SNG | ||
Hauteur 13.9mm | ||
Longueur 55.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
Module MOSFET SiC complet | Boost SiC complet à trois canaux EliteSiC, 1 200 V, MOSFET SiC 40 mohm + 1 200 V, DBC nickelé à diode SiC 40 A
on Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG est un module d'alimentation contenant un étage de boost à trois canaux. Les transistors MOSFET et diodes SiC intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.
Demi-pont MOSFET SiC 40 m/1 200 V.
Thermistance
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Broches à pression
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