Module IGBT, NXH40B120MNQ1SNG, , Q1 BOOST 3 canaux - broches à souder 180 BQ de boîtier (sans plomb)
- Code commande RS:
- 245-6984
- Référence fabricant:
- NXH40B120MNQ1SNG
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 unité)*
73,82 €
HT
88,58 €
TTC
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 73,82 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 245-6984
- Référence fabricant:
- NXH40B120MNQ1SNG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Dissipation de puissance maximum | 156 W | |
| Nombre de transistors | 3 | |
| Type de boîtier | Q1 BOOST 3 canaux - broches à souder 180 BQ de boîtier (sans plomb) | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Dissipation de puissance maximum 156 W | ||
Nombre de transistors 3 | ||
Type de boîtier Q1 BOOST 3 canaux - broches à souder 180 BQ de boîtier (sans plomb) | ||
Module MOSFET SiC complet | Boost SiC complet à trois canaux EliteSiC, 1 200 V, MOSFET SiC 40 mohm + 1 200 V, DBC nickelé à diode SiC 40 A
on Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG est un module d'alimentation contenant un étage de boost à trois canaux. Les transistors MOSFET et diodes SiC intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.
Demi-pont MOSFET SiC 40 m/1 200 V.
Thermistance
Options avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué
Broches à pression
Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogénure et sont conformes à la directive RoHS
Thermistance
Options avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué
Broches à pression
Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogénure et sont conformes à la directive RoHS
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