Module IGBT, NXH40B120MNQ1SNG, , Q1 BOOST 3 canaux - broches à souder 180 BQ de boîtier (sans plomb)

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Code commande RS:
245-6983
Référence fabricant:
NXH40B120MNQ1SNG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Dissipation de puissance maximum

156 W

Nombre de transistors

3

Type de boîtier

Q1 BOOST 3 canaux - broches à souder 180 BQ de boîtier (sans plomb)

Module MOSFET SiC complet | Boost SiC complet à trois canaux EliteSiC, 1 200 V, MOSFET SiC 40 mohm + 1 200 V, DBC nickelé à diode SiC 40 A


on Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG est un module d'alimentation contenant un étage de boost à trois canaux. Les transistors MOSFET et diodes SiC intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.

Demi-pont MOSFET SiC 40 m/1 200 V.
Thermistance
Options avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué
Broches à pression
Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogénure et sont conformes à la directive RoHS

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