Module IGBT Non onsemi, Q1BOOST Surface 3

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Code commande RS:
245-6983
Référence fabricant:
NXH40B120MNQ1SNG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

Module IGBT

Dissipation de puissance maximum Pd

156W

Nombre de transistors

3

Type de Boitier

Q1BOOST

Type de montage

Surface

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

NXH40B120MNQ1SNG

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

13.9mm

Longueur

55.2mm

Standard automobile

Non

Module MOSFET SiC complet | Boost SiC complet à trois canaux EliteSiC, 1 200 V, MOSFET SiC 40 mohm + 1 200 V, DBC nickelé à diode SiC 40 A


on Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG est un module d'alimentation contenant un étage de boost à trois canaux. Les transistors MOSFET et diodes SiC intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.

Demi-pont MOSFET SiC 40 m/1 200 V.

Thermistance

Options avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué

Broches à pression

Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogénure et sont conformes à la directive RoHS

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