Module IGBT Non onsemi, Q1BOOST En surface 3

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Code commande RS:
245-6983
Référence fabricant:
NXH40B120MNQ1SNG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

Module IGBT

Nombre de transistors

3

Dissipation de puissance maximum Pd

156W

Type de Boitier

Q1BOOST

Type de montage

En surface

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

13.9mm

Série

NXH40B120MNQ1SNG

Longueur

55.2mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

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on Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG est un module d'alimentation contenant un étage de boost à trois canaux. Les transistors MOSFET et diodes SiC intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.

Demi-pont MOSFET SiC 40 m/1 200 V.

Thermistance

Options avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué

Broches à pression

Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogénure et sont conformes à la directive RoHS

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