Module IGBT, NXH40B120MNQ0SNG, , Q0PACK - Boîtier 180AJ (broches à souder sans plomb et sans demi)

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Code commande RS:
245-6981
Référence fabricant:
NXH40B120MNQ0SNG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Nombre de transistors

2

Dissipation de puissance maximum

118 W

Type de boîtier

Q0PACK - Boîtier 180AJ (broches à souder sans plomb et sans demi)

Module MOSFET SiC complet | Boost SiC complet à deux canaux EliteSiC, 1 200 V, MOSFET SiC 40 mohm + 1 200 V, DBC à diode SiC nickelée 40 A


on Semiconductor Module d'alimentation Q1 Boost 3 canaux est un module d'alimentation contenant un double étage de boost. Les transistors MOSFET et diodes SiC intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.

Transistors MOSFET SiC 1 200 V 40 m
Diodes SiC à faible récupération inverse et à commutation rapide
Diodes de dérivation 1 200 V et antiparallèles
Thermistance à broches soudables à faible disposition inductive
Ce dispositif est sans plomb, sans halogène/sans BFR et est conforme à la directive RoHS

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