Module IGBT Non onsemi, Q0PACK - boîtier 180AJ Surface 2

Sous-total (1 plateau de 24 unités)*

1 964,352 €

HT

2 357,232 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 28 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le plateau*
24 +81,848 €1 964,35 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
245-6981
Référence fabricant:
NXH40B120MNQ0SNG
Marque:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Type de produit

Module IGBT

Dissipation de puissance maximum Pd

118W

Nombre de transistors

2

Type de Boitier

Q0PACK - boîtier 180AJ

Type de montage

Surface

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

NXH40B120MNQ0SNG

Longueur

55.2mm

Hauteur

13.9mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Module MOSFET SiC complet | Boost SiC complet à deux canaux EliteSiC, 1 200 V, MOSFET SiC 40 mohm + 1 200 V, DBC à diode SiC nickelée 40 A


on Semiconductor Module d'alimentation Q1 Boost 3 canaux est un module d'alimentation contenant un double étage de boost. Les transistors MOSFET et diodes SiC intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.

Transistors MOSFET SiC 1 200 V 40 m

Diodes SiC à faible récupération inverse et à commutation rapide

Diodes de dérivation 1 200 V et antiparallèles

Thermistance à broches soudables à faible disposition inductive

Ce dispositif est sans plomb, sans halogène/sans BFR et est conforme à la directive RoHS

Nos clients ont également consulté