Module IGBT, NXH100B120H3Q0PG, , 61 A, 1200 V, Broches à pression 180 BF (sans plomb et sans demi) de boîtier

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Code commande RS:
245-6961
Référence fabricant:
NXH100B120H3Q0PG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum

61 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

1200 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

186 W

Nombre de transistors

2

Type de boîtier

Broches à pression 180 BF (sans plomb et sans demi) de boîtier

on Semiconductor Dual Boost Power Module est un module d'alimentation contenant un double étage de boost. Les IGBT et diodes SiC à tranchée d'arrêt de champ intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.

IGBT à arrêt de champ ultra 1 200 V.
Diodes SiC à faible récupération inverse et à commutation rapide
Diodes de dérivation de 1 600 V et antiparallèles
Disposition inductive faible
Broches soudables ou broches à pression
Options de thermistance avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué

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