Module IGBT Non onsemi, 1200 V, Boîtier 180BF En surface 2
- Code commande RS:
- 245-6962
- Référence fabricant:
- NXH100B120H3Q0PG
- Marque:
- onsemi
Informations sur le stock actuellement non accessibles
- Code commande RS:
- 245-6962
- Référence fabricant:
- NXH100B120H3Q0PG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 186W | |
| Type de Boitier | Boîtier 180BF | |
| Type de montage | En surface | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 13.9mm | |
| Série | NXH100B120H3Q0PG | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 55.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 186W | ||
Type de Boitier Boîtier 180BF | ||
Type de montage En surface | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 13.9mm | ||
Série NXH100B120H3Q0PG | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 55.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor Dual Boost Power Module est un module d'alimentation contenant un double étage de boost. Les IGBT et diodes SiC à tranchée d'arrêt de champ intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.
IGBT à arrêt de champ ultra 1 200 V.
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Broches soudables ou broches à pression
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