Module IGBT Non onsemi, 1200 V, Boîtier 180BF En surface 2
- Code commande RS:
- 245-6962
- Référence fabricant:
- NXH100B120H3Q0PG
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 245-6962
- Référence fabricant:
- NXH100B120H3Q0PG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 186W | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Type de Boitier | Boîtier 180BF | |
| Type de montage | En surface | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 32.8mm | |
| Série | NXH100B120H3Q0PG | |
| Hauteur | 13.9mm | |
| Longueur | 55.2mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 186W | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Type de Boitier Boîtier 180BF | ||
Type de montage En surface | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 32.8mm | ||
Série NXH100B120H3Q0PG | ||
Hauteur 13.9mm | ||
Longueur 55.2mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor Dual Boost Power Module est un module d'alimentation contenant un double étage de boost. Les IGBT et diodes SiC à tranchée d'arrêt de champ intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.
IGBT à arrêt de champ ultra 1 200 V.
Diodes SiC à faible récupération inverse et à commutation rapide
Diodes de dérivation de 1 600 V et antiparallèles
Disposition inductive faible
Broches soudables ou broches à pression
Options de thermistance avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué
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