Module IGBT Non onsemi, 1200 V, Boîtier 180BF Surface 2

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Code commande RS:
245-6962
Référence fabricant:
NXH100B120H3Q0PG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

Module IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

186W

Nombre de transistors

2

Type de Boitier

Boîtier 180BF

Type de montage

Surface

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Série

NXH100B120H3Q0PG

Hauteur

13.9mm

Longueur

55.2mm

Standard automobile

Non

on Semiconductor Dual Boost Power Module est un module d'alimentation contenant un double étage de boost. Les IGBT et diodes SiC à tranchée d'arrêt de champ intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.

IGBT à arrêt de champ ultra 1 200 V.

Diodes SiC à faible récupération inverse et à commutation rapide

Diodes de dérivation de 1 600 V et antiparallèles

Disposition inductive faible

Broches soudables ou broches à pression

Options de thermistance avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué

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