Module IGBT, NXH100B120H3Q0PG, , 61 A, 1200 V, Broches à pression 180 BF (sans plomb et sans demi) de boîtier

on Semiconductor Dual Boost Power Module est un module d'alimentation contenant un double étage de boost. Les IGBT et diodes SiC à tranchée d'arrêt de champ intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.

IGBT à arrêt de champ ultra 1 200 V.
Diodes SiC à faible récupération inverse et à commutation rapide
Diodes de dérivation de 1 600 V et antiparallèles
Disposition inductive faible
Broches soudables ou broches à pression
Options de thermistance avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué