Module IGBT, NXH040F120MNF1PTG, , Broches à pression F1-4PACK avec matériau d'interface thermique préappliqué (TIM)

on Semiconductor F1 4PACK SiC MOSFET est un module d'alimentation contenant un pont complet de transistor MOSFET SiC de 40 m/1200 V et une thermistance dans un boîtier F1.

Thermistance demi-pont à transistor MOSFET SiC 40 m/1 200 V.
Options avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué
Broches à pression
Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogénure et sont conformes à la directive RoHS