Module IGBT Non onsemi, F1-4PACK En surface 4

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Code commande RS:
245-6960
Référence fabricant:
NXH040F120MNF1PTG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

Module IGBT

Nombre de transistors

4

Dissipation de puissance maximum Pd

74W

Type de Boitier

F1-4PACK

Type de montage

En surface

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

1200 V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

12.35mm

Série

NXH040F120MNF1PTG

Longueur

48.8mm

Standard automobile

Non

on Semiconductor F1 4PACK SiC MOSFET est un module d'alimentation contenant un pont complet de transistor MOSFET SiC de 40 m/1200 V et une thermistance dans un boîtier F1.

Thermistance demi-pont à transistor MOSFET SiC 40 m/1 200 V.

Options avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué

Broches à pression

Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogénure et sont conformes à la directive RoHS

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