Module IGBT, NXH300B100H4Q2F2PG, , 73 A, 1000 V, 93x47 (pression) (broches à pression sans plomb et sans halogène),
- Code commande RS:
- 245-6969
- Référence fabricant:
- NXH300B100H4Q2F2PG
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 unité)*
185,02 €
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 185,02 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 245-6969
- Référence fabricant:
- NXH300B100H4Q2F2PG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 73 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1000 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 79 W | |
| Nombre de transistors | 6 | |
| Type de boîtier | 93x47 (pression) (broches à pression sans plomb et sans halogène), Q2BOOST - PIM53 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum 73 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1000 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 79 W | ||
Nombre de transistors 6 | ||
Type de boîtier 93x47 (pression) (broches à pression sans plomb et sans halogène), Q2BOOST - PIM53 | ||
on Semiconductor Q2BOOST Module est un module d'alimentation intégré haute densité qui combine des IGBT hautes performances avec une diode SiC de 1 200 V.
Tranchée extrêmement efficace avec technologie d'arrêt de champ
Une faible perte de commutation réduit la dissipation de puissance du système
La conception de module offre une haute densité de puissance
Disposition inductive faible
3 canaux dans le boîtier Q2BOOST
Ce sont des dispositifs sans plomb
Une faible perte de commutation réduit la dissipation de puissance du système
La conception de module offre une haute densité de puissance
Disposition inductive faible
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