Module IGBT Non onsemi, 1200 V, Boîtier 180AJ En surface 2
- Code commande RS:
- 245-6963
- Référence fabricant:
- NXH100B120H3Q0SG
- Marque:
- onsemi
Informations sur le stock actuellement non accessibles
- Code commande RS:
- 245-6963
- Référence fabricant:
- NXH100B120H3Q0SG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 186W | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Type de Boitier | Boîtier 180AJ | |
| Type de montage | En surface | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Série | NXH100B120H3Q0SG | |
| Hauteur | 13.9mm | |
| Longueur | 55.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 186W | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Type de Boitier Boîtier 180AJ | ||
Type de montage En surface | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Série NXH100B120H3Q0SG | ||
Hauteur 13.9mm | ||
Longueur 55.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor Dual Boost Power Module est un module d'alimentation contenant un double étage de boost. Les IGBT et diodes SiC à tranchée d'arrêt de champ intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.
IGBT à arrêt de champ ultra 1 200 V.
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