Module IGBT, NXH100B120H3Q0SG, , 61 A, 1200 V, Broches à souder 180 AJ (sans plomb et sans demi) de boîtier

Voir l’ensemble des IGBT

Sous-total (1 plateau de 24 unités)*

1 303,152 €

HT

1 563,792 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Dernier stock RS
  • 24 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
le plateau*
24 +54,298 €1 303,15 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
245-6963
Référence fabricant:
NXH100B120H3Q0SG
Marque:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum

61 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

1200 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Nombre de transistors

2

Dissipation de puissance maximum

186 W

Type de boîtier

Broches à souder 180 AJ (sans plomb et sans demi) de boîtier

on Semiconductor Dual Boost Power Module est un module d'alimentation contenant un double étage de boost. Les IGBT et diodes SiC à tranchée d'arrêt de champ intégrés fournissent des pertes de conduction et des pertes de commutation plus faibles, ce qui permet aux concepteurs d'atteindre un haut rendement et une fiabilité supérieure.

IGBT à arrêt de champ ultra 1 200 V.
Diodes SiC à faible récupération inverse et à commutation rapide
Diodes de dérivation de 1 600 V et antiparallèles
Disposition inductive faible
Broches soudables ou broches à pression
Options de thermistance avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué

Nos clients ont également consulté