Module IGBT Non Infineon, 650 V Traversant 4
- Code commande RS:
- 248-1195
- Référence fabricant:
- DF200R07W2H3B77BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 36,629 € | 549,44 € |
| 30 + | 35,713 € | 535,70 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 248-1195
- Référence fabricant:
- DF200R07W2H3B77BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Nombre de transistors | 4 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 48 mm | |
| Longueur | 56.7mm | |
| Hauteur | 12mm | |
| Série | DF200R07W2H3B77 | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Nombre de transistors 4 | ||
Type de montage Traversant | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 48 mm | ||
Longueur 56.7mm | ||
Hauteur 12mm | ||
Série DF200R07W2H3B77 | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon fabrique ce module IGBT 3 niveaux EasyPACK 2B 650 V, 100 A avec IGBT Trench/Fieldtop H3, diode rapide et PressFIT / CTN. Ce dispositif offre une conception compacte facile à utiliser et des performances optimisées. Le dispositif fournit des avantages supplémentaires tels qu'une capacité de tension de blocage accrue jusqu'à 650 V, une conception à faible inductivité, de faibles pertes de commutation et une faible VCE, sat. Il utilise un substrat Al2O3 avec une faible résistance thermique et la technologie de contact PressFIT. Ce dispositif offre un montage robuste grâce à la pince de montage intégrée. Ce dispositif est doté d'une configuration Booster et utilise la technologie IGBT HighSpeed 3.
Meilleur rapport coût/performance avec des coûts de système réduits
Haut degré de liberté de conception
Rendement et densité de puissance les plus élevés