Module IGBT, F3L100R07W2H3B11BPSA1, , 70 A, 650 V
- Code commande RS:
- 248-1200
- Référence fabricant:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 50,83 € |
| 2 - 4 | 48,29 € |
| 5 - 9 | 46,26 € |
| 10 - 19 | 44,22 € |
| 20 + | 42,19 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 248-1200
- Référence fabricant:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 70 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Nombre de transistors | 4 | |
| Dissipation de puissance maximum | 20 mW | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 70 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Nombre de transistors 4 | ||
Dissipation de puissance maximum 20 mW | ||
Infineon fabrique ce module IGBT 3 niveaux EasyPACK 2B 650 V, 100 A avec IGBT Trench/Fieldtop H3, diode rapide et PressFIT / CTN. Ce dispositif offre une conception compacte facile à utiliser et des performances optimisées. Le dispositif fournit des avantages supplémentaires tels qu'une capacité de tension de blocage accrue jusqu'à 650 V, une conception à faible inductivité, de faibles pertes de commutation et une faible VCE, sat. Il utilise un substrat Al2O3 avec une faible résistance thermique et la technologie de contact PressFIT. Ce dispositif offre un montage robuste grâce à la pince de montage intégrée.
Meilleur rapport coût/performance avec des coûts du système réduits
Grand degré de liberté dans la conception, et utilise la technologie IGBT HighSpeed 3
Rendement et densité de puissance les plus élevés
Grand degré de liberté dans la conception, et utilise la technologie IGBT HighSpeed 3
Rendement et densité de puissance les plus élevés