Module IGBT Non Infineon, 650 V Traversant 4

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Code commande RS:
248-1200
Référence fabricant:
F3L100R07W2H3B11BPSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Module IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Nombre de transistors

4

Dissipation de puissance maximum Pd

20mW

Type de montage

Traversant

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

56.7mm

Série

F3L100R07W2H3B11

Hauteur

12mm

Normes/homologations

RoHS

Largeur

42.5 mm

Standard automobile

Non

Infineon fabrique ce module IGBT 3 niveaux EasyPACK 2B 650 V, 100 A avec IGBT Trench/Fieldtop H3, diode rapide et PressFIT / CTN. Ce dispositif offre une conception compacte facile à utiliser et des performances optimisées. Le dispositif fournit des avantages supplémentaires tels qu'une capacité de tension de blocage accrue jusqu'à 650 V, une conception à faible inductivité, de faibles pertes de commutation et une faible VCE, sat. Il utilise un substrat Al2O3 avec une faible résistance thermique et la technologie de contact PressFIT. Ce dispositif offre un montage robuste grâce à la pince de montage intégrée.

Meilleur rapport coût/performance avec des coûts du système réduits

Grand degré de liberté dans la conception, et utilise la technologie IGBT HighSpeed 3

Rendement et densité de puissance les plus élevés

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