Références fabricant

Module transistor IGBT, FS75R07W2E3B11ABOMA1, , 95 A, 650 V, ACEPACK 2

Code commande RS:: 259-1503
Référence fabricant:: FS75R07W2E3B11ABOMA1
Marque:: Infineon

Module transistor IGBT, FS75R07W2E3B11ABOMA1, , 95 A, 650 V, ACEPACK 2

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Code commande RS:: 259-1503
Référence fabricant:: FS75R07W2E3B11ABOMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Courant continu de Collecteur maximum	95 A
	Tension Collecteur Emetteur maximum	650 V
	Tension Grille Emetteur maximum	±20V
	Dissipation de puissance maximum	275 W
	Configuration	Réseau 6
	Type de boîtier	ACEPACK 2

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Courant continu de Collecteur maximum 95 A
	Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V
	Tension Grille Emetteur maximum ±20V
	Dissipation de puissance maximum 275 W
	Configuration Réseau 6
	Type de boîtier ACEPACK 2

Datasheet - FS75R07W2E3B11ABOMA1

Les modules 2B d'Infineon Easy Pack avec Trenchstop IGBT3, 3 diodes contrôlées par émetteur et PressFIT / NTC.

Capacité de tension de blocage accrue jusqu'à 650 V
Faibles pertes de commutation
Faible VCEsat
Trench IGBT 3
Substrat Al2O3 avec faible résistance thermique
Haute densité de puissance

Module transistor IGBT, FS75R07W2E3B11ABOMA1, , 95 A, 650 V, ACEPACK 2

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