Module IGBT, F3L100R07W2E3B11BOMA1, , 117 A, 650 V, Module
- Code commande RS:
- 273-7363
- Référence fabricant:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 84,83 € |
| 5 - 9 | 83,14 € |
| 10 - 99 | 77,14 € |
| 100 - 249 | 70,70 € |
| 250 + | 65,27 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-7363
- Référence fabricant:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 117 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | +/-20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 300 W | |
| Type de boîtier | Module | |
| Type de montage | Montage panneau | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 117 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum +/-20V | ||
Dissipation de puissance maximum 300 W | ||
Type de boîtier Module | ||
Type de montage Montage panneau | ||
Le module IGBT d'Infineon est doté d'un VCES de 650 V, d'un courant de collecteur c.c. continu de 100 A, d'un module IGBT de phase-jambes à 3 niveaux de phase-jambes avec TRENCHSTOP IGBT3, 3 diodes contrôlées par NTC, émetteur et technologie de contact Press FIT. Ce module IGBT a augmenté la capacité de tension de blocage jusqu'à 650 V et est disponible avec un substrat Al2O3 avec une faible résistance thermique.
VCEsat faible
Conception compacte
Montage robuste
Conception à faible inductivité
Faibles pertes de commutation
Conception compacte
Montage robuste
Conception à faible inductivité
Faibles pertes de commutation