Module IGBT Non Infineon, 117 A, 650 V, Module Panneau
- Code commande RS:
- 273-7363
- Référence fabricant:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 84,83 € |
| 5 - 9 | 83,14 € |
| 10 - 99 | 77,14 € |
| 100 - 249 | 70,70 € |
| 250 + | 65,27 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-7363
- Référence fabricant:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 117A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Type de Boitier | Module | |
| Type de montage | Panneau | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.9V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | UL (E83335) | |
| Hauteur | 16.4mm | |
| Longueur | 62.8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 117A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Type de Boitier Module | ||
Type de montage Panneau | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.9V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations UL (E83335) | ||
Hauteur 16.4mm | ||
Longueur 62.8mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le module IGBT d'Infineon est doté d'un VCES de 650 V, d'un courant de collecteur c.c. continu de 100 A, d'un module IGBT de phase-jambes à 3 niveaux de phase-jambes avec TRENCHSTOP IGBT3, 3 diodes contrôlées par NTC, émetteur et technologie de contact Press FIT. Ce module IGBT a augmenté la capacité de tension de blocage jusqu'à 650 V et est disponible avec un substrat Al2O3 avec une faible résistance thermique.
VCEsat faible
Conception compacte
Montage robuste
Conception à faible inductivité
Faibles pertes de commutation
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