Module IGBT, F3L150R07W2E3B11BOMA1, , 650 A, 150 V, Module

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Code commande RS:
273-7364
Référence fabricant:
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

650 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

150 V

Tension Grille Emetteur maximum

+/-20V

Dissipation de puissance maximum

335 W

Type de boîtier

Module

Type de montage

Montage panneau

Le module IGBT d'Infineon est doté d'un VCES de 650 V, d'un courant de collecteur c.c. continu de 150 A, d'un module IGBT à 3 niveaux de phase-jambes de phase-jambes avec TRENCHSTOP IGBT3, 3 diodes à commande d'émetteur, NTC et technologie de contact Press FIT. Ce module IGBT a augmenté la capacité de tension de blocage jusqu'à 650 V et est disponible avec un substrat Al2O3 avec une faible résistance thermique.

VCEsat faible
Conception compacte
Montage robuste
Conception à faible inductivité
Faibles pertes de commutation

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