Module IGBT Non Infineon, 75 A, 1200 V, 8 broches, Module Panneau
- Code commande RS:
- 273-7366
- Référence fabricant:
- F3L150R12W2H3B11BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 15 - 90 | 52,139 € | 782,09 € |
| 105 + | 47,795 € | 716,93 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-7366
- Référence fabricant:
- F3L150R12W2H3B11BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 75A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500W | |
| Type de Boitier | Module | |
| Type de montage | Panneau | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.75V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 62.4mm | |
| Hauteur | 16.4mm | |
| Normes/homologations | UL (E83335), RoHS | |
| Largeur | 56.7 mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 75A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500W | ||
Type de Boitier Module | ||
Type de montage Panneau | ||
Nombre de broches 8 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.75V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 62.4mm | ||
Hauteur 16.4mm | ||
Normes/homologations UL (E83335), RoHS | ||
Largeur 56.7 mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le module IGBT d'Infineon est doté d'un VCES de 1 200 V, d'un courant de collecteur c.c. continu de 75 A, d'un module IGBT à 3 niveaux à pied de phase avec attache de point neutre active 2, d'un NTC, d'un IGBT H3 haute vitesse et de la technologie de contact Press FIT. Ce module IGBT est adapté pour les applications à 3 niveaux.
Conforme à la directive RoHS
IGBT haut débit H3
Faibles pertes de commutation
Adapté aux applications solaires
