Module IGBT Non Infineon, 75 A, 1200 V 7

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Code commande RS:
244-5834
Référence fabricant:
FP50R12KE3BOSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum lc

75A

Type de produit

Module IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

280W

Nombre de transistors

7

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.15V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température d'utilisation maximum

150°C

Série

FP50R12KE3

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le module IGBT d'infineon présente une tension d'émetteur de collecteur nominale maximale de 1 200 V et une dissipation de puissance totale de 280 W. La tension de seuil de porte maximale est de 6,5 V.

Isolation interne Isolation de base (classe 1, CEI 61140)

Tension de crête de la porte-émetteur +/- 20 V

Tension de saturation du collecteur-émetteur 2,30 V

Courant de fuite de la porte-émetteur 400 nA

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