Module IGBT, FP50R12KE3BOSA1, , 75 A, 1200 V
- Code commande RS:
- 244-5835
- Référence fabricant:
- FP50R12KE3BOSA1
- Marque:
- Infineon
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119,59 €
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 119,59 € |
| 2 - 4 | 117,19 € |
| 5 + | 105,48 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 244-5835
- Référence fabricant:
- FP50R12KE3BOSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 75 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 280 W | |
| Nombre de transistors | 7 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 75 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 280 W | ||
Nombre de transistors 7 | ||
Le module IGBT d'infineon présente une tension d'émetteur de collecteur nominale maximale de 1 200 V et une dissipation de puissance totale de 280 W. La tension de seuil de porte maximale est de 6,5 V.
Isolation interne Isolation de base (classe 1, CEI 61140)
Tension de crête de la porte-émetteur +/- 20 V
Tension de saturation du collecteur-émetteur 2,30 V
Courant de fuite de la porte-émetteur 400 nA
Tension de crête de la porte-émetteur +/- 20 V
Tension de saturation du collecteur-émetteur 2,30 V
Courant de fuite de la porte-émetteur 400 nA