Module IGBT, FP75R12KT4BOSA1, , 75 A, 1200 V, EconoPIM
- Code commande RS:
- 244-5851
- Référence fabricant:
- FP75R12KT4BOSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 plateau de 10 unités)*
1 308,07 €
HT
1 569,68 €
TTC
Ajouter 10 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 21 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 10 + | 130,807 € | 1 308,07 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 244-5851
- Référence fabricant:
- FP75R12KT4BOSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 75 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Nombre de transistors | 7 | |
| Type de boîtier | EconoPIM | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 75 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Nombre de transistors 7 | ||
Type de boîtier EconoPIM | ||
Le module IGBT d'infineon présente une tension d'émetteur de collecteur nominale maximale de 1 200 V et une dissipation de puissance totale de 355 W. La tension de seuil de porte maximale est de 6,5 V .
Isolation interne Isolation de base (classe 1, CEI
61140)Tension de crête de la porte-émetteur +/- 20 V
Tension de saturation du collecteur-émetteur 2,15 V
Courant de fuite de la porte-émetteur 400 nA
61140)Tension de crête de la porte-émetteur +/- 20 V
Tension de saturation du collecteur-émetteur 2,15 V
Courant de fuite de la porte-émetteur 400 nA