Module IGBT Non Infineon, 1200 V, EconoPIM 7

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Code commande RS:
244-5851
Référence fabricant:
FP75R12KT4BOSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Module IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Nombre de transistors

7

Dissipation de puissance maximum Pd

385W

Type de Boitier

EconoPIM

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.15V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Série

FP75R12KT4B

Largeur

62.5 mm

Longueur

122mm

Hauteur

17mm

Standard automobile

Non

Le module IGBT d'infineon présente une tension d'émetteur de collecteur nominale maximale de 1 200 V et une dissipation de puissance totale de 355 W. La tension de seuil de porte maximale est de 6,5 V .

Isolation interne Isolation de base (classe 1, CEI

61140)Tension de crête de la porte-émetteur +/- 20 V

Tension de saturation du collecteur-émetteur 2,15 V

Courant de fuite de la porte-émetteur 400 nA

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