Module IGBT Non Infineon, 1200 V, EconoPIM 7
- Code commande RS:
- 244-5854
- Référence fabricant:
- FP75R12KT4BOSA1
- Marque:
- Infineon
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131,65 €
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 131,65 € |
| 2 - 4 | 129,01 € |
| 5 + | 116,11 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 244-5854
- Référence fabricant:
- FP75R12KT4BOSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 385W | |
| Nombre de transistors | 7 | |
| Type de Boitier | EconoPIM | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.15V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 62.5 mm | |
| Longueur | 122mm | |
| Hauteur | 17mm | |
| Série | FP75R12KT4B | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 385W | ||
Nombre de transistors 7 | ||
Type de Boitier EconoPIM | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.15V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 62.5 mm | ||
Longueur 122mm | ||
Hauteur 17mm | ||
Série FP75R12KT4B | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le module IGBT d'infineon présente une tension d'émetteur de collecteur nominale maximale de 1 200 V et une dissipation de puissance totale de 355 W. La tension de seuil de porte maximale est de 6,5 V .
Isolation interne Isolation de base (classe 1, CEI
61140)Tension de crête de la porte-émetteur +/- 20 V
Tension de saturation du collecteur-émetteur 2,15 V
Courant de fuite de la porte-émetteur 400 nA
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