Module IGBT, FP75R12KT4BOSA1, , 75 A, 1200 V, EconoPIM
- Code commande RS:
- 244-5854
- Référence fabricant:
- FP75R12KT4BOSA1
- Marque:
- Infineon
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Sous-total (1 unité)*
189,44 €
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 189,44 € |
| 2 - 4 | 185,65 € |
| 5 + | 167,08 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 244-5854
- Référence fabricant:
- FP75R12KT4BOSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 75 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Nombre de transistors | 7 | |
| Type de boîtier | EconoPIM | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 75 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Nombre de transistors 7 | ||
Type de boîtier EconoPIM | ||
Le module IGBT d'infineon présente une tension d'émetteur de collecteur nominale maximale de 1 200 V et une dissipation de puissance totale de 355 W. La tension de seuil de porte maximale est de 6,5 V .
Isolation interne Isolation de base (classe 1, CEI
61140)Tension de crête de la porte-émetteur +/- 20 V
Tension de saturation du collecteur-émetteur 2,15 V
Courant de fuite de la porte-émetteur 400 nA
61140)Tension de crête de la porte-émetteur +/- 20 V
Tension de saturation du collecteur-émetteur 2,15 V
Courant de fuite de la porte-émetteur 400 nA