Module IGBT Non Infineon, 1200 V 7

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Code commande RS:
244-5379
Référence fabricant:
FP100R12KT4BOSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Module IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

515W

Nombre de transistors

7

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.1V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

62 mm

Longueur

122mm

Série

FP100R12KT4

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

17mm

Standard automobile

Non

Le module Infineon IGBT, le courant de collecteur de Peak nominal répétitif maximum, est de 200 A et le voltag de saturation de collecteur-émetteur de 2,20 V, la tension de seuil de porte est de 6,4 V.

Courant de coupure collecteur-émetteur de 1 mA

Température dans des conditions de commutation de 150 °C.

Courant de fuite de l'émetteur de grille 100 nA

Capacité de transfert inverse 0,27 NF

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