Module IGBT, FP100R12KT4BOSA1, , 100 A, 1200 V
- Code commande RS:
- 244-5380
- Référence fabricant:
- FP100R12KT4BOSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 unité)*
205,20 €
HT
246,24 €
TTC
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- Expédition à partir du 04 janvier 2027
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 205,20 € |
| 2 - 2 | 201,09 € |
| 3 + | 180,99 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 244-5380
- Référence fabricant:
- FP100R12KT4BOSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 100 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | +/-20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 515 W | |
| Nombre de transistors | 7 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 100 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum +/-20V | ||
Dissipation de puissance maximum 515 W | ||
Nombre de transistors 7 | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 200 A and collector-emitter saturation voltag 2.20 V, gate threshold voltage is 6.4 V.
Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.27 nF
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.27 nF