Module IGBT, F475R06W1E3BOMA1, , 100 A, 600 V
- Code commande RS:
- 244-5370
- Référence fabricant:
- F475R06W1E3BOMA1
- Marque:
- Infineon
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41,46 €
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 41,46 € |
| 2 - 4 | 39,40 € |
| 5 - 9 | 35,45 € |
| 10 + | 35,25 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 244-5370
- Référence fabricant:
- F475R06W1E3BOMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 100 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | +/-20V | |
| Nombre de transistors | 4 | |
| Dissipation de puissance maximum | 275 W | |
| Configuration | Emitter-Collector, Quad (2 x Dual) | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 100 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum +/-20V | ||
Nombre de transistors 4 | ||
Dissipation de puissance maximum 275 W | ||
Configuration Emitter-Collector, Quad (2 x Dual) | ||
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, UPS systems, inductive heating and welding and solar applications etc.
Electrical features
Low switching losses, low inductive design
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
Low switching losses, low inductive design
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps