Module IGBT Non Infineon, 1200 V 4

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
244-5370
Référence fabricant:
F475R06W1E3BOMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Module IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Nombre de transistors

4

Dissipation de puissance maximum Pd

275W

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le module Infineon IGBT est adapté pour les inverseurs auxiliaires, les systèmes d'onduleur, le chauffage inductif et le soudage, ainsi que les applications solaires, etc.

Caractéristiques électriques

Faibles pertes de commutation, conception inductive faible

IGBT à tranchée 3

VCEsat avec coefficient de température positif

Faible VCEsat

Caractéristiques mécaniques

Substrat AL2O3 avec faible résistance thermique

Compact.

Technologie de contact à souder

Montage robuste grâce aux attaches de montage intégrées

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