Module IGBT Non Infineon, 1200 V 4
- Code commande RS:
- 244-5370
- Référence fabricant:
- F475R06W1E3BOMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 244-5370
- Référence fabricant:
- F475R06W1E3BOMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Nombre de transistors | 4 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 275W | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Nombre de transistors 4 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 275W | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le module Infineon IGBT est adapté pour les inverseurs auxiliaires, les systèmes d'onduleur, le chauffage inductif et le soudage, ainsi que les applications solaires, etc.
Caractéristiques électriques
Faibles pertes de commutation, conception inductive faible
IGBT à tranchée 3
VCEsat avec coefficient de température positif
Faible VCEsat
Caractéristiques mécaniques
Substrat AL2O3 avec faible résistance thermique
Compact.
Technologie de contact à souder
Montage robuste grâce aux attaches de montage intégrées