Module IGBT Non Infineon, 1200 V 7

Sous-total (1 plateau de 10 unités)*

1 141,54 €

HT

1 369,85 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 10 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le plateau*
10 +114,154 €1 141,54 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
244-5374
Référence fabricant:
FP100R12KT4B11BOSA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de produit

Module IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

515W

Nombre de transistors

7

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.1V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

62 mm

Série

FP100R12KT4B11

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

17mm

Longueur

122mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
HU
Le module Infineon IGBT est adapté pour les inverseurs auxiliaires, les entraînements de moteur et les servomoteurs, etc.

Caractéristiques électriques

Faibles pertes de commutation

TVJ op = 150 °C.

VCEsat avec coefficient de température positif

Faible VCEsat

Caractéristiques mécaniques

Haute puissance et capacité de cycle thermique

Capteur de température NTC intégré

Plaque de base en cuivre

Technologie de contact de pressfit

Boîtier

Nos clients ont également consulté