Module IGBT Non Infineon, 1200 V 7

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244-5377
Référence fabricant:
FP100R12KT4B11BOSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Module IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Nombre de transistors

7

Dissipation de puissance maximum Pd

515W

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Série

FP100R12KT4B11

Largeur

62 mm

Longueur

122mm

Hauteur

17mm

Standard automobile

Non

Le module Infineon IGBT est adapté pour les inverseurs auxiliaires, les entraînements de moteur et les servomoteurs, etc.

Caractéristiques électriques

Faibles pertes de commutation

TVJ op = 150 °C.

VCEsat avec coefficient de température positif

Faible VCEsat

Caractéristiques mécaniques

Haute puissance et capacité de cycle thermique

Capteur de température NTC intégré

Plaque de base en cuivre

Technologie de contact de pressfit

Boîtier

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