IGBT Non STMicroelectronics Collecteur simple, 4 A, 600 V, 3 broches, TO-252 1 Surface

Voir l’ensemble des IGBT

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

892,50 €

HT

1 070,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,357 €892,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
287-7044
Référence fabricant:
STGD4H60DF
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

4A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

600V

Dissipation de puissance maximum Pd

75W

Nombre de transistors

1

Configuration

Collecteur simple

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.7V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

1.7mm

Hauteur

2.3mm

Normes/homologations

RoHS

Largeur

6.7mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
L'arrêt de champ de grille de tranchée de STMicroelectronics est un IGBT développé à l'aide d'une structure d'arrêt de champ de grille de tranchée propriétaire avancée. Ce dispositif fait partie de la série H des IGBT qui représentent un compromis parfait entre les pertes de conduction et de commutation pour maximiser l'efficacité des convertisseurs à haute fréquence de commutation. En outre, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution étroite de paramètres permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.

Faible résistance thermique

Courts-circuits nominaux

Diode antiparallèle souple et rapide de récupération

Nos clients ont également consulté