IGBT Non STMicroelectronics Collecteur simple, 4 A, 600 V, 3 broches, TO-252 1 En surface
- Code commande RS:
- 287-7044
- Référence fabricant:
- STGD4H60DF
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
892,50 €
HT
1 070,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 05 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,357 € | 892,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 287-7044
- Référence fabricant:
- STGD4H60DF
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 4A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 75W | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Configuration | Collecteur simple | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.7V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 1.7mm | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Largeur | 6.7mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 4A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 75W | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Configuration Collecteur simple | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.7V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 1.7mm | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Largeur 6.7mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
L'arrêt de champ de grille de tranchée de STMicroelectronics est un IGBT développé à l'aide d'une structure d'arrêt de champ de grille de tranchée propriétaire avancée. Ce dispositif fait partie de la série H des IGBT qui représentent un compromis parfait entre les pertes de conduction et de commutation pour maximiser l'efficacité des convertisseurs à haute fréquence de commutation. En outre, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution étroite de paramètres permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.
Faible résistance thermique
Courts-circuits nominaux
Diode antiparallèle souple et rapide de récupération
Nos clients ont également consulté
- IGBT Non STMicroelectronics Collecteur simple 600 V TO-252 1 Surface
- IGBT Non Bourns TO-252
- IGBT Non Infineon 600 V, TO-252
- IGBT Non Infineon 600 V, TO-252
- IGBT Non Infineon 600 V, TO-252
- IGBT Non Infineon 600 V, TO-252
- Circuits intégrés à transistor simple IGBT Non InfineonCanal-Type N 600 V TO-252 Surface
- Jonction au silicium Non STMicroelectronics 5 A 600 V TO-252