IGBT Non STMicroelectronics Collecteur simple, 4 A, 600 V, 3 broches, TO-252 1 En surface
- Code commande RS:
- 287-7045
- Référence fabricant:
- STGD4H60DF
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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| 30 - 58 | 1,01 € | 2,02 € |
| 60 - 118 | 0,895 € | 1,79 € |
| 120 - 238 | 0,805 € | 1,61 € |
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- Code commande RS:
- 287-7045
- Référence fabricant:
- STGD4H60DF
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 4A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 75W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Configuration | Collecteur simple | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.7V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 6.7mm | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 1.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 4A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 75W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Configuration Collecteur simple | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.7V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 6.7mm | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 1.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
L'arrêt de champ de grille de tranchée de STMicroelectronics est un IGBT développé à l'aide d'une structure d'arrêt de champ de grille de tranchée propriétaire avancée. Ce dispositif fait partie de la série H des IGBT qui représentent un compromis parfait entre les pertes de conduction et de commutation pour maximiser l'efficacité des convertisseurs à haute fréquence de commutation. En outre, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution étroite de paramètres permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.
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