IGBT, STGD4H60DF, , 4 A, 600 V, DPAK, 3 broches
- Code commande RS:
- 287-7045
- Référence fabricant:
- STGD4H60DF
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 28 | 0,47 € | 0,94 € |
| 30 - 58 | 0,425 € | 0,85 € |
| 60 - 118 | 0,385 € | 0,77 € |
| 120 - 238 | 0,345 € | 0,69 € |
| 240 + | 0,34 € | 0,68 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 287-7045
- Référence fabricant:
- STGD4H60DF
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 4 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 75 W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de boîtier | DPAK | |
| Configuration | Collecteur simple, émetteur simple, porte simple | |
| Type de montage | CMS | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum 4 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 75 W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de boîtier DPAK | ||
Configuration Collecteur simple, émetteur simple, porte simple | ||
Type de montage CMS | ||
Nombre de broches 3 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le Trench gate field stop de STMicroelectronics est un IGBT développé à partir d'une structure propriétaire avancée de trench gate field stop. Ce dispositif fait partie de la série H des IGBT qui représentent un compromis parfait entre les pertes de conduction et de commutation pour maximiser l'efficacité des convertisseurs à haute fréquence de commutation. En outre, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution étroite de paramètres permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.
Faible résistance thermique
Courte durée de vie
Diode antiparallèle douce et à récupération rapide
Courte durée de vie
Diode antiparallèle douce et à récupération rapide