IGBT simple Non IXYSCanal-Type N, 100 A, 1200 V 70 ns, 4 broches, SOT-227B Traversant

Voir l’ensemble des IGBT
Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 unité)*

44,99 €

HT

53,99 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Dernier stock RS
  • 14 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
  • 14 unité(s) finale(s) expédiée(s) à partir du 16 avril 2026
Unité
Prix par unité
1 - 144,99 €
2 - 443,83 €
5 - 942,62 €
10 - 2941,58 €
30 +40,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
804-7625
Numéro d'article Distrelec:
302-53-267
Référence fabricant:
IXA70I1200NA
Marque:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Courant continu de Collecteur maximum lc

100A

Type de produit

IGBT simple

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

350W

Type de Boitier

SOT-227B

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

4

Vitesse de découpage

70ns

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.8V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

125°C

Normes/homologations

RoHS, Epoxy meets UL 94V-0, IEC 60747

Série

Planar

Standard automobile

Non

IGBT Discretes, IXYS série XPT


La gamme XPT™ d'IGBT discrets d'IXYS intègre la technologie de galette fine Extreme-light Punch-Through, qui permet de réduire la résistance thermique et les pertes énergétiques. Ces circuits offrent un temps de commutation court avec un faible courant de queue, et sont disponibles dans une large variété de boîtiers standards et propriétaires.

Forte densité de puissance et faible Vce(sat)

RBSOA (Square Reverse Bias Safe Operating Areas, ou aires de sécurité inverse) jusqu'à la tension d'isolement nominale

Capacité de court-circuit pendant 10 μs

Coefficient de température positive en tension à l'état passant

Diodes Sonic-FRD™ ou HiPerFRED™ dans le même boîtier proposé en option

Boîtiers haute tension aux normes internationales et propriétaires

IGBT Discretes et modules, IXYS


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Nos clients ont également consulté