Semi-conducteur de puissance Non InfineonCanal-Type N, 30 A, 1200 V, 3 broches, TO-247 Traversant
- Code commande RS:
- 914-0211
- Référence fabricant:
- IGW15T120FKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | 4,535 € | 18,14 € |
| 20 - 36 | 4,308 € | 17,23 € |
| 40 - 96 | 4,128 € | 16,51 € |
| 100 - 196 | 3,855 € | 15,42 € |
| 200 + | 3,63 € | 14,52 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 914-0211
- Référence fabricant:
- IGW15T120FKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 30A | |
| Type de produit | Semi-conducteur de puissance | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 110W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | JEDEC1, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Série | TrenchStop | |
| Standard automobile | Non | |
| Energie | 4.1mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 30A | ||
Type de produit Semi-conducteur de puissance | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 110W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations JEDEC1, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Série TrenchStop | ||
Standard automobile Non | ||
Energie 4.1mJ | ||
Transistors IGBT TrenchStop d'Infineon, 1 100 à 1 600 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 1 100 à 1 600 V comportant la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 1 100 à 1 600 V
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• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes et modules, Infineon
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.