Inverseur CMOS AEC-Q100 1 onsemi Sextuple inverseur/mémoire tampon Asymétrique 16 broches SOIC
- Code commande RS:
- 184-4793
- Référence fabricant:
- MC14049BDR2G
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 184-4793
- Référence fabricant:
- MC14049BDR2G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Fonction logique | Sextuple inverseur/mémoire tampon | |
| Type de produit | Inverseur CMOS | |
| Type d'entrée | Asymétrique | |
| Type de sortie | Asymétrique | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Entrée de trigger de Schmitt | Non | |
| Délai de propagation maximum @ CL | 140ns | |
| Tension d'alimentation minimum | 3V | |
| Type de montage | En surface | |
| Tension d'alimentation maximum | 18V | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 16 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Série | MC14049B | |
| Largeur | 4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10mm | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Fonction logique Sextuple inverseur/mémoire tampon | ||
Type de produit Inverseur CMOS | ||
Type d'entrée Asymétrique | ||
Type de sortie Asymétrique | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Entrée de trigger de Schmitt Non | ||
Délai de propagation maximum @ CL 140ns | ||
Tension d'alimentation minimum 3V | ||
Type de montage En surface | ||
Tension d'alimentation maximum 18V | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 16 | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Série MC14049B | ||
Largeur 4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10mm | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Les tampons hexagonaux pour onduleurs/tampons hexagonaux MC14049B et les tampons hexagonaux non inverseurs MC14050B sont construits avec des dispositifs en mode canal P MOS et en mode d'amélioration N-Channel dans une structure monolithique unique. Ces dispositifs MOS complémentaires trouvent l'utilisation principale où une faible dissipation de puissance et/ou une immunité élevée contre le bruit est souhaitée. Ces dispositifs fournissent la conversion de niveau logique en utilisant une seule tension d'alimentation, VDD. Le niveau élevé du signal d'entrée (VIH) peut dépasser la tension d'alimentation VDD pour les conversions de niveau logique. Deux charges TTL/DTL peuvent être pilotées lorsque les dispositifs sont utilisés comme convertisseur CMOS-TTL/DTL (VDD = 5,0 V, VOL< = 0,4 V, IOL> = 3,2 mA).
Courants de source et de puits élevés
Convertisseur de haut à bas niveau
Plage de tension d'alimentation = 3,0 V à 18 V.
Protection ESD améliorée sur toutes les entrées
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