JFET, MMBFJ175LT1G, Canal-P, 15 V Simple SOT-23, 3 broches Simple
- Code commande RS:
- 163-0037
- Référence fabricant:
- MMBFJ175LT1G
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
261,00 €
HT
312,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,087 € | 261,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 163-0037
- Référence fabricant:
- MMBFJ175LT1G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | P | |
| Idss Drain-source Courant de coupure | -7 to -60mA | |
| Tension Drain Source maximum | 15 V | |
| Tension Drain Grille maximum | -25V | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Configuration | Simple | |
| Résistance Drain Source maximum | 125 Ω | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de boîtier | SOT-23 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Capacitance Drain Grille | 11pF | |
| Capacitance Source Grille ON | 11pF | |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Hauteur | 1.01mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal P | ||
Idss Drain-source Courant de coupure -7 to -60mA | ||
Tension Drain Source maximum 15 V | ||
Tension Drain Grille maximum -25V | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Configuration Simple | ||
Résistance Drain Source maximum 125 Ω | ||
Type de montage CMS | ||
Type de boîtier SOT-23 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Capacitance Drain Grille 11pF | ||
Capacitance Source Grille ON 11pF | ||
Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.01mm | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Largeur 1.4mm | ||
Longueur 3.04mm | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
Hauteur 1.01mm | ||
Transistor JFET canal P, ON Semiconductor
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).