Mémoire flash, CFI, Parallèle NOR, 512 Mo Infineon 110 ns, 56 broches, TSOP

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125-5907
Référence fabricant:
S29GL512S11TFI020
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Mémoire flash

Taille de la mémoire

512Mo

Type d'interface

CFI, Parallèle

Type de Boitier

TSOP

Nombre de broches

56

Configuration

32 Mb x 16 bits

Type de montage

En surface

Type de cellule

NOR

Tension d'alimentation minimum

2.7V

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Normes/homologations

RoHS

Largeur

14.1mm

Hauteur

1.05mm

Longueur

18.5mm

Série

S29GL512

Temps d'accès aléatoire maximum

110ns

Nombre de mots

32M

Nombre de bits par mot

16

Mémoire Flash NOR parallèle, Cypress Semiconductor


Haute performance

Accès aléatoire rapide et largeur de bande élevée

Mémoires Flash


Le CI de mémoire FLASH est une RAM non volatile qui doit être écrite/effacée en blocs. Il a une durée de vie limitée en termes de nombre de cycles d'écriture et a tendance à être utilisé pour le stockage de programmes qui est rarement changé.

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