Références fabricant

Mémoire flash, CFI, Parallèle NOR, 512 Mo Infineon 110 ns, 56 broches, TSOP

Code commande RS:: 125-5907
Référence fabricant:: S29GL512S11TFI020
Marque:: Infineon

Mémoire flash, CFI, Parallèle NOR, 512 Mo Infineon 110 ns, 56 broches, TSOP

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Code commande RS:: 125-5907
Référence fabricant:: S29GL512S11TFI020
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Taille de la mémoire	512Mo
	Type de produit	Mémoire flash
	Type d'interface	CFI, Parallèle
	Type de Boitier	TSOP
	Nombre de broches	56
	Type de montage	Surface
	Type de cellule	NOR
	Tension d'alimentation maximum	3.6V
	Tension d'alimentation minimum	2.7V
	Température minimum de fonctionnement	-40°C
	Température d'utilisation maximum	85°C
	Hauteur	1.05mm
	Longueur	18.5mm
	Normes/homologations	RoHS
	Série	S29GL512
	Nombre de bits par mot	16
	Nombre de mots	32M
	Temps d'accès aléatoire maximum	110ns

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Taille de la mémoire 512Mo
	Type de produit Mémoire flash
	Type d'interface CFI, Parallèle
	Type de Boitier TSOP
	Nombre de broches 56
	Type de montage Surface
	Type de cellule NOR
	Tension d'alimentation maximum 3.6V
	Tension d'alimentation minimum 2.7V
	Température minimum de fonctionnement -40°C
	Température d'utilisation maximum 85°C
	Hauteur 1.05mm
	Longueur 18.5mm
	Normes/homologations RoHS
	Série S29GL512
	Nombre de bits par mot 16
	Nombre de mots 32M
	Temps d'accès aléatoire maximum 110ns

Datasheet

Mémoire Flash NOR parallèle, Cypress Semiconductor

Haute performance

Accès aléatoire rapide et largeur de bande élevée

Mémoires Flash

Le CI de mémoire FLASH est une RAM non volatile qui doit être écrite/effacée en blocs. Il a une durée de vie limitée en termes de nombre de cycles d'écriture et a tendance à être utilisé pour le stockage de programmes qui est rarement changé.

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