Mémoire flash, CFI, Parallèle NOR, 512 Mo Infineon 110 ns, 56 broches, TSOP
- Code commande RS:
- 171-1490
- Référence fabricant:
- S29GL512S11TFI020
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 plateau de 91 unités)*
658,476 €
HT
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 91 + | 7,236 € | 658,48 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 171-1490
- Référence fabricant:
- S29GL512S11TFI020
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Taille de la mémoire | 512Mo | |
| Type d'interface | CFI, Parallèle | |
| Type de Boitier | TSOP | |
| Nombre de broches | 56 | |
| Configuration | 32 Mb x 16 bits | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de cellule | NOR | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Largeur | 14.1mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 18.5mm | |
| Hauteur | 1.05mm | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 110ns | |
| Nombre de mots | 32M | |
| Série | S29GL512 | |
| Nombre de bits par mot | 16 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Taille de la mémoire 512Mo | ||
Type d'interface CFI, Parallèle | ||
Type de Boitier TSOP | ||
Nombre de broches 56 | ||
Configuration 32 Mb x 16 bits | ||
Type de montage En surface | ||
Type de cellule NOR | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Largeur 14.1mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 18.5mm | ||
Hauteur 1.05mm | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 110ns | ||
Nombre de mots 32M | ||
Série S29GL512 | ||
Nombre de bits par mot 16 | ||
- Pays d'origine :
- US
Mémoire Flash NOR parallèle, Cypress Semiconductor
Haute performance
Accès aléatoire rapide et largeur de bande élevée
Mémoires Flash
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