Mémoire flash, CFI, Parallèle NOR, 512 Mo Infineon 110 ns, 56 broches, TSOP
- Code commande RS:
- 171-1490
- Référence fabricant:
- S29GL512S11TFI020
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 plateau de 91 unités)*
658,476 €
HT
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 91 + | 7,236 € | 658,48 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 171-1490
- Référence fabricant:
- S29GL512S11TFI020
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Taille de la mémoire | 512Mo | |
| Type d'interface | CFI, Parallèle | |
| Type de Boitier | TSOP | |
| Nombre de broches | 56 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de cellule | NOR | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Longueur | 18.5mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 1.05mm | |
| Série | S29GL512 | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 110ns | |
| Nombre de bits par mot | 16 | |
| Nombre de mots | 32M | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Taille de la mémoire 512Mo | ||
Type d'interface CFI, Parallèle | ||
Type de Boitier TSOP | ||
Nombre de broches 56 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de cellule NOR | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Longueur 18.5mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 1.05mm | ||
Série S29GL512 | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 110ns | ||
Nombre de bits par mot 16 | ||
Nombre de mots 32M | ||
- Pays d'origine :
- US
Mémoire Flash NOR parallèle, Cypress Semiconductor
Haute performance
Accès aléatoire rapide et largeur de bande élevée
Mémoires Flash
Le CI de mémoire FLASH est une RAM non volatile qui doit être écrite/effacée en blocs. Il a une durée de vie limitée en termes de nombre de cycles d'écriture et a tendance à être utilisé pour le stockage de programmes qui est rarement changé.
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