Mémoire flash, Parallèle NAND SLC, 8 GB Winbond 25 μs, 63 broches, VFBGA

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Code commande RS:
188-2657
Référence fabricant:
W29N08GZBIBA
Marque:
Winbond
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Marque

Winbond

Taille de la mémoire

8Go

Type de produit

Mémoire flash

Type d'interface

Parallèle

Type de Boitier

VFBGA

Nombre de broches

63

Fréquence d'horloge maximum

40MHz

Type de montage

Surface

Type de cellule

NAND SLC

Tension d'alimentation minimum

1.7V

Tension d'alimentation maximum

1.95V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Hauteur

0.6mm

Longueur

11.1mm

Normes/homologations

No

Série

W29N08GZ

Nombre de mots

1024K

Standard automobile

Non

Nombre de bits par mot

8

Temps d'accès aléatoire maximum

25μs

Densité : 8 Gbit (solution empilée à 2 puces)

Vcc : 1,7 à 1,95 V.

Largeur du bus : x8/x16

Température d'utilisation

Applications industrielles : -40 à +85 °C

Technologie SLC (Single-Level Cell).

Organisation

Densité : 8 G bits/1 G octets

Taille de page

2 112 octets (2 048 + 64 octets)

1 056 mots (1 024 + 32 mots)

Taille de bloc

64 pages (128 K + 4 K octets)

64 pages (64 K + 2 K mots)

Hautes performances

Performances de lecture (max.)

Lecture aléatoire : 25 us

Cycle de lecture séquentiel : 35 ns

Performances d'effacement d'écriture

Durée du programme de page : 250 us (typ.)

Durée d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)

Endurance 100 000 cycles d'effacement/de programme(1)

Conservation des données pendant 10 ans

Jeu de commandes

Jeu de commandes NAND standard

Prise en charge de commandes supplémentaires

Copie arrière

Fonctionnement en deux plans

Contact Winbond pour la fonction OTP

Contact Winbond pour la fonction de verrouillage de bloc

Consommation électrique la plus faible

Lecture : 13 mA (typ.)

Programmation/effacement : 13 mA (typ.)

Veille CMOS : 20 uA (typ.)

Emballage à gain de place

TSOP1 standard à 48 broches

VFBGA 63 billes

Mémoire Flash NAND SLC 8 Gb avec taille de page 2 ko + 64 B.

Largeur de bus : x8

Lecture aléatoire : 25 us

Durée du programme de page : 250 us (typ.)

Temps d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)

Prise en charge de la zone de mémoire OTP

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