Mémoire flash, Parallèle NAND SLC, 4 Go Winbond 25 μs, 63 broches, VFBGA
- Code commande RS:
- 188-2561
- Référence fabricant:
- W29N04GVBIAF
- Marque:
- Winbond
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 188-2561
- Référence fabricant:
- W29N04GVBIAF
- Marque:
- Winbond
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | |
| Taille de la mémoire | 4Go | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Type d'interface | Parallèle | |
| Type de Boitier | VFBGA | |
| Nombre de broches | 63 | |
| Configuration | 512M x 8 bits | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de cellule | NAND SLC | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Largeur | 11.1mm | |
| Hauteur | 0.6mm | |
| Longueur | 11.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 25μs | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Courant d'alimentation | 35mA | |
| Série | W29N04GV | |
| Standard automobile | Non | |
| Nombre de mots | 512M | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Winbond | ||
Taille de la mémoire 4Go | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Type d'interface Parallèle | ||
Type de Boitier VFBGA | ||
Nombre de broches 63 | ||
Configuration 512M x 8 bits | ||
Type de montage En surface | ||
Type de cellule NAND SLC | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Largeur 11.1mm | ||
Hauteur 0.6mm | ||
Longueur 11.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 25μs | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Courant d'alimentation 35mA | ||
Série W29N04GV | ||
Standard automobile Non | ||
Nombre de mots 512M | ||
Densité : 4 Gbit (solution à puce unique)
Vcc : 2,7 à 3,6 V.
Largeur du bus : x8
Température d'utilisation
Applications industrielles : -40 à +85 °C
Technologie SLC (Single-Level Cell).
Organisation
Densité : 4G-bit/512M-octet
Taille de page
2 112 octets (2 048 + 64 octets)
Taille de bloc
64 pages (128 K + 4 K octets)
Hautes performances
Performances de lecture (max.)
Lecture aléatoire : 25 us
Cycle de lecture séquentiel : 25 ns
Performances d'effacement d'écriture
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Durée d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Endurance 100 000 cycles d'effacement/de programme(1)
Conservation des données pendant 10 ans
Jeu de commandes
Jeu de commandes NAND standard
Prise en charge de commandes supplémentaires
Lecture séquentielle du cache
Lecture aléatoire de la mémoire cache
Programme de cache
Copie arrière
Fonctionnement en deux plans
Contact Winbond pour la fonction OTP
Contact Winbond pour la fonction de verrouillage de bloc
Consommation électrique la plus faible
Lecture : 25 mA (typ.)
Programmation/effacement : 25 mA (typ.)
Veille CMOS : 10 uA (typ.)
Emballage à gain de place
TSOP1 standard à 48 broches
VFBGA 63 billes
Mémoire Flash NAND SLC de 4 Gb avec taille de page 2 ko + 64 B uniforme.
Largeur de bus : x8
Lecture aléatoire : 25 us
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Temps d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Prise en charge de la zone de mémoire OTP
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