Mémoire flash, Parallèle NAND SLC, 1 Go Winbond 25 μs, 63 broches, VFBGA

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188-2794
Référence fabricant:
W29N01HVBINF
Marque:
Winbond
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Marque

Winbond

Type de produit

Mémoire flash

Taille de la mémoire

1Go

Type d'interface

Parallèle

Type de Boitier

VFBGA

Nombre de broches

63

Configuration

128M x 8 bits

Type de montage

En surface

Type de cellule

NAND SLC

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Tension d'alimentation minimum

2.7V

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Largeur

11.1mm

Normes/homologations

No

Hauteur

0.6mm

Longueur

11.1mm

Nombre de bits par mot

8

Courant d'alimentation

35mA

Temps d'accès aléatoire maximum

25μs

Série

W29N01HV

Standard automobile

Non

Nombre de mots

128M

Densité : 1 Gbit (solution à puce unique)

Vcc : 2,7 à 3,6 V.

Largeur du bus : x8

Température d'utilisation

Applications industrielles : -40 à +85 °C

Technologie SLC (Single-Level Cell).

Organisation

Densité : 1 Go/128 Mo

Taille de page

2 112 octets (2 048 + 64 octets)

Taille de bloc

64 pages (128 K + 4 K octets)

Hautes performances

Performances de lecture (max.)

Lecture aléatoire : 25 us

Cycle de lecture séquentiel : 25 ns

Performances d'effacement d'écriture

Durée du programme de page : 250 us (typ.)

Durée d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)

Endurance 100 000 cycles d'effacement/de programme(1)

Conservation des données pendant 10 ans

Jeu de commandes

Jeu de commandes NAND standard

Prise en charge de commandes supplémentaires

Copie arrière

Consommation électrique la plus faible

Lecture : 25 mA (typ. 3 V),

Programmation/effacement : 25 mA (typ. 3V),

Veille CMOS : 10 uA (typ.)

Emballage à gain de place

TSOP1 standard à 48 broches

VFBGA 48 billes

VFBGA 63 billes

Mémoire Flash NAND SLC 1 Gb avec taille de page 2 ko + 64 B.

Largeur de bus : x8

Lecture aléatoire : 25 us

Durée du programme de page : 250 us (typ.)

Temps d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)

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