Mémoire flash, Parallèle NAND SLC, 2 Go Winbond 25 μs, 63 broches, VFBGA
- Code commande RS:
- 188-2808
- Référence fabricant:
- W29N02GVBIAA
- Marque:
- Winbond
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- Code commande RS:
- 188-2808
- Référence fabricant:
- W29N02GVBIAA
- Marque:
- Winbond
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | |
| Taille de la mémoire | 2Go | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Type d'interface | Parallèle | |
| Type de Boitier | VFBGA | |
| Nombre de broches | 63 | |
| Configuration | 256M x 8 bits | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de cellule | NAND SLC | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Largeur | 9.1mm | |
| Hauteur | 600μm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 11.1mm | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 25μs | |
| Standard automobile | Non | |
| Courant d'alimentation | 35mA | |
| Nombre de mots | 256M | |
| Série | W29N02GV | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Winbond | ||
Taille de la mémoire 2Go | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Type d'interface Parallèle | ||
Type de Boitier VFBGA | ||
Nombre de broches 63 | ||
Configuration 256M x 8 bits | ||
Type de montage En surface | ||
Type de cellule NAND SLC | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Largeur 9.1mm | ||
Hauteur 600μm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 11.1mm | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 25μs | ||
Standard automobile Non | ||
Courant d'alimentation 35mA | ||
Nombre de mots 256M | ||
Série W29N02GV | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Densité : 2 Gbit (solution à puce unique)
Vcc : 2,7 à 3,6 V.
Largeur du bus : x8
Température d'utilisation
Applications industrielles : -40 à +85 °C
Technologie SLC (Single-Level Cell).
Organisation
Densité : 2 Go/256 Mo
Taille de page
2 112 octets (2 048 + 64 octets)
Taille de bloc
64 pages (128 K + 4 K octets)
Hautes performances
Performances de lecture (max.)
Lecture aléatoire : 25 us
Cycle de lecture séquentiel : 25 ns
Performances d'effacement d'écriture
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Durée d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Endurance 100 000 cycles d'effacement/de programme(2)
Conservation des données pendant 10 ans
Jeu de commandes
Jeu de commandes NAND standard
Prise en charge de commandes supplémentaires
Lecture séquentielle du cache
Lecture aléatoire de la mémoire cache
Programme de cache
Copie arrière
Fonctionnement en deux plans
Contact Winbond pour la fonction OTP
Contact Winbond pour la fonction de verrouillage de bloc
Consommation électrique la plus faible
Lecture : 25 mA (typ. 3 V)
Programmation/effacement : 25 mA (typ. 3 V)
Veille CMOS : 10 uA (typ.)
Emballage à gain de place
TSOP1 standard à 48 broches
VFBGA 63 billes
Mémoire Flash NAND SLC de 2 Go avec taille de page uniforme de 2 ko + 64 B.
Largeur de bus : x8
Lecture aléatoire : 25 us
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Temps d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Prise en charge de la zone de mémoire OTP
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