Mémoire flash, Parallèle NAND SLC, 2 Go Winbond 25 μs, 63 broches, VFBGA

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Code commande RS:
188-2808
Référence fabricant:
W29N02GVBIAA
Marque:
Winbond
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Marque

Winbond

Type de produit

Mémoire flash

Taille de la mémoire

2Go

Type d'interface

Parallèle

Type de Boitier

VFBGA

Nombre de broches

63

Type de montage

Surface

Type de cellule

NAND SLC

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Tension d'alimentation minimum

2.7V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Longueur

11.1mm

Normes/homologations

No

Hauteur

0.6mm

Série

W29N02GV

Courant d'alimentation

35mA

Nombre de mots

256M

Temps d'accès aléatoire maximum

25μs

Nombre de bits par mot

8

Standard automobile

Non

Densité : 2 Gbit (solution à puce unique)

Vcc : 2,7 à 3,6 V.

Largeur du bus : x8

Température d'utilisation

Applications industrielles : -40 à +85 °C

Technologie SLC (Single-Level Cell).

Organisation

Densité : 2 Go/256 Mo

Taille de page

2 112 octets (2 048 + 64 octets)

Taille de bloc

64 pages (128 K + 4 K octets)

Hautes performances

Performances de lecture (max.)

Lecture aléatoire : 25 us

Cycle de lecture séquentiel : 25 ns

Performances d'effacement d'écriture

Durée du programme de page : 250 us (typ.)

Durée d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)

Endurance 100 000 cycles d'effacement/de programme(2)

Conservation des données pendant 10 ans

Jeu de commandes

Jeu de commandes NAND standard

Prise en charge de commandes supplémentaires

Lecture séquentielle du cache

Lecture aléatoire de la mémoire cache

Programme de cache

Copie arrière

Fonctionnement en deux plans

Contact Winbond pour la fonction OTP

Contact Winbond pour la fonction de verrouillage de bloc

Consommation électrique la plus faible

Lecture : 25 mA (typ. 3 V)

Programmation/effacement : 25 mA (typ. 3 V)

Veille CMOS : 10 uA (typ.)

Emballage à gain de place

TSOP1 standard à 48 broches

VFBGA 63 billes

Mémoire Flash NAND SLC de 2 Go avec taille de page uniforme de 2 ko + 64 B.

Largeur de bus : x8

Lecture aléatoire : 25 us

Durée du programme de page : 250 us (typ.)

Temps d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)

Prise en charge de la zone de mémoire OTP

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