Mémoire flash, Parallèle NAND SLC, 8 Go Winbond 25 μs, 63 broches, VFBGA
- Code commande RS:
- 188-2567
- Référence fabricant:
- W29N08GZBIBA
- Marque:
- Winbond
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 188-2567
- Référence fabricant:
- W29N08GZBIBA
- Marque:
- Winbond
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Taille de la mémoire | 8Go | |
| Type d'interface | Parallèle | |
| Type de Boitier | VFBGA | |
| Nombre de broches | 63 | |
| Fréquence d'horloge maximum | 40MHz | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de cellule | NAND SLC | |
| Tension d'alimentation minimum | 1.7V | |
| Tension d'alimentation maximum | 1.95V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Longueur | 11.1mm | |
| Hauteur | 0.6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Série | W29N08GZ | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Nombre de mots | 1024K | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 25μs | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Winbond | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Taille de la mémoire 8Go | ||
Type d'interface Parallèle | ||
Type de Boitier VFBGA | ||
Nombre de broches 63 | ||
Fréquence d'horloge maximum 40MHz | ||
Type de montage Surface | ||
Type de cellule NAND SLC | ||
Tension d'alimentation minimum 1.7V | ||
Tension d'alimentation maximum 1.95V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Longueur 11.1mm | ||
Hauteur 0.6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Série W29N08GZ | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Nombre de mots 1024K | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 25μs | ||
Standard automobile Non | ||
Densité : 8 Gbit (solution empilée à 2 puces)
Vcc : 1,7 à 1,95 V.
Largeur du bus : x8/x16
Température d'utilisation
Applications industrielles : -40 à +85 °C
Technologie SLC (Single-Level Cell).
Organisation
Densité : 8 G bits/1 G octets
Taille de page
2 112 octets (2 048 + 64 octets)
1 056 mots (1 024 + 32 mots)
Taille de bloc
64 pages (128 K + 4 K octets)
64 pages (64 K + 2 K mots)
Hautes performances
Performances de lecture (max.)
Lecture aléatoire : 25 us
Cycle de lecture séquentiel : 35 ns
Performances d'effacement d'écriture
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Durée d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Endurance 100 000 cycles d'effacement/de programme(1)
Conservation des données pendant 10 ans
Jeu de commandes
Jeu de commandes NAND standard
Prise en charge de commandes supplémentaires
Copie arrière
Fonctionnement en deux plans
Contact Winbond pour la fonction OTP
Contact Winbond pour la fonction de verrouillage de bloc
Consommation électrique la plus faible
Lecture : 13 mA (typ.)
Programmation/effacement : 13 mA (typ.)
Veille CMOS : 20 uA (typ.)
Emballage à gain de place
TSOP1 standard à 48 broches
VFBGA 63 billes
Mémoire Flash NAND SLC 8 Gb avec taille de page 2 ko + 64 B.
Largeur de bus : x8
Lecture aléatoire : 25 us
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Temps d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Prise en charge de la zone de mémoire OTP
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