Mémoire flash, Parallèle NAND SLC, 4 Go Winbond 25 μs, 63 broches, VFBGA
- Code commande RS:
- 188-2878
- Référence fabricant:
- W29N04GVBIAF
- Marque:
- Winbond
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 188-2878
- Référence fabricant:
- W29N04GVBIAF
- Marque:
- Winbond
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Taille de la mémoire | 4Go | |
| Type d'interface | Parallèle | |
| Type de Boitier | VFBGA | |
| Nombre de broches | 63 | |
| Configuration | 512M x 8 bits | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de cellule | NAND SLC | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 11.1mm | |
| Longueur | 11.1mm | |
| Hauteur | 0.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Nombre de mots | 512M | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Courant d'alimentation | 35mA | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 25μs | |
| Série | W29N04GV | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Winbond | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Taille de la mémoire 4Go | ||
Type d'interface Parallèle | ||
Type de Boitier VFBGA | ||
Nombre de broches 63 | ||
Configuration 512M x 8 bits | ||
Type de montage En surface | ||
Type de cellule NAND SLC | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 11.1mm | ||
Longueur 11.1mm | ||
Hauteur 0.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Nombre de mots 512M | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Courant d'alimentation 35mA | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 25μs | ||
Série W29N04GV | ||
Densité : 4 Gbit (solution à puce unique)
Vcc : 2,7 à 3,6 V.
Largeur du bus : x8
Température d'utilisation
Applications industrielles : -40 à +85 °C
Technologie SLC (Single-Level Cell).
Organisation
Densité : 4G-bit/512M-octet
Taille de page
2 112 octets (2 048 + 64 octets)
Taille de bloc
64 pages (128 K + 4 K octets)
Hautes performances
Performances de lecture (max.)
Lecture aléatoire : 25 us
Cycle de lecture séquentiel : 25 ns
Performances d'effacement d'écriture
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Durée d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Endurance 100 000 cycles d'effacement/de programme(1)
Conservation des données pendant 10 ans
Jeu de commandes
Jeu de commandes NAND standard
Prise en charge de commandes supplémentaires
Lecture séquentielle du cache
Lecture aléatoire de la mémoire cache
Programme de cache
Copie arrière
Fonctionnement en deux plans
Contact Winbond pour la fonction OTP
Contact Winbond pour la fonction de verrouillage de bloc
Consommation électrique la plus faible
Lecture : 25 mA (typ.)
Programmation/effacement : 25 mA (typ.)
Veille CMOS : 10 uA (typ.)
Emballage à gain de place
TSOP1 standard à 48 broches
VFBGA 63 billes
Mémoire Flash NAND SLC de 4 Gb avec taille de page 2 ko + 64 B uniforme.
Largeur de bus : x8
Lecture aléatoire : 25 us
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Temps d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Prise en charge de la zone de mémoire OTP
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