Mémoire flash, Parallèle NAND SLC, 8 Go Winbond 25 μs, 48 broches, TSOP
- Code commande RS:
- 188-2565
- Référence fabricant:
- W29N08GVSIAA
- Marque:
- Winbond
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- 188-2565
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- Marque:
- Winbond
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Taille de la mémoire | 8Go | |
| Type d'interface | Parallèle | |
| Type de Boitier | TSOP | |
| Nombre de broches | 48 | |
| Configuration | 1024 x 8 bits | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de cellule | NAND SLC | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 12mm | |
| Longueur | 12.1mm | |
| Hauteur | 1.05mm | |
| Nombre de mots | 1024K | |
| Courant d'alimentation | 35mA | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Série | W29N08GV | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 25μs | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Winbond | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Taille de la mémoire 8Go | ||
Type d'interface Parallèle | ||
Type de Boitier TSOP | ||
Nombre de broches 48 | ||
Configuration 1024 x 8 bits | ||
Type de montage En surface | ||
Type de cellule NAND SLC | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 12mm | ||
Longueur 12.1mm | ||
Hauteur 1.05mm | ||
Nombre de mots 1024K | ||
Courant d'alimentation 35mA | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Série W29N08GV | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 25μs | ||
Standard automobile Non | ||
Mémoire Flash NAND SLC 8 Gb avec taille de page 2 ko + 64 B.
Largeur de bus : x8
Lecture aléatoire : 25 us
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Temps d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Prise en charge de la zone de mémoire OTP
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